全电气隔离双主动桥 (DAB) 双向高频直流变流拓扑
采用三相移（Triple-Phase-Shift）调制控制双向能量流动，在跨越 300V 至 950V 宽电压比区间实现全域零电压软开关 (ZVS)，并提供超 1000V 绝缘耐压防护。
宽电压工况全域软开关零电压导通 (ZVS) 轨迹跟踪
动态自适应占空比与内外移相角计算引擎，确保碳化硅 (SiC) MOSFET 在执行 800V 旗舰车型向 400V 普及车型反向跨级快充时始终工作于零电压导通区，彻底消除开通损耗。
- Bi-directional power transfer rated up to 150 kW DC.
- Galvanic isolation exceeding 5 kV DC breakdown voltage.
- Automatic voltage normalization between 400V and 800V architectures.
- Efficiency exceeds 98.2% across 20% to 100% load range.
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