Топология Dual-Active-Bridge (DAB) с гальванической развязкой
Модуляция Triple-Phase-Shift управляет потоком мощности, обеспечивает переключение при нуле напряжения (ZVS) и изоляцию до 1000 В.
Оптимизация переключения при нулевом напряжении (ZVS)
Адаптивный расчет скважности и фазового угла гарантирует коммутацию SiC MOSFET при нулевом напряжении даже при зарядке с 800В на 400В.
- Bi-directional power transfer rated up to 150 kW DC.
- Galvanic isolation exceeding 5 kV DC breakdown voltage.
- Automatic voltage normalization between 400V and 800V architectures.
- Efficiency exceeds 98.2% across 20% to 100% load range.
Исследовать портфель доменов