Topologia Dual-Active-Bridge (DAB) com Isolamento Galvânico
Modulação por deslocamento de fase triplo controlando fluxo de energia, ZVS em amplas faixas de tensão e isolamento de chassi de 1000V.
Otimização de Comutação em Tensão Nula (ZVS)
O cálculo adaptativo de duty cycle e ângulo de fase assegura que os MOSFETs SiC chaveiem em tensão zero mesmo na carga cruzada 800V-400V.
- Bi-directional power transfer rated up to 150 kW DC.
- Galvanic isolation exceeding 5 kV DC breakdown voltage.
- Automatic voltage normalization between 400V and 800V architectures.
- Efficiency exceeds 98.2% across 20% to 100% load range.
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