갈바닉 절연 듀얼 액티브 브리지(DAB) 양방향 DC-DC 토폴로지
삼중 위상 변조(TPS)를 통해 전력 전송 방향을 통제하고, 광범위한 전압비에서 영전압 스위칭(ZVS)과 1000V 섀시 절연을 완벽히 달성합니다.
영전압 스위칭(ZVS) 궤적 추적 및 스위칭 손실 최소화
적응형 듀티비 및 위상각 연산 알고리즘을 통해 800V에서 400V로의 크로스 충전 시에도 SiC MOSFET이 항상 영전압 조건에서 소프트 스위칭되도록 보장합니다.
- Bi-directional power transfer rated up to 150 kW DC.
- Galvanic isolation exceeding 5 kV DC breakdown voltage.
- Automatic voltage normalization between 400V and 800V architectures.
- Efficiency exceeds 98.2% across 20% to 100% load range.
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