ガルバニック絶縁型デュアルアクティブブリッジ（DAB）トポロジ
トリプル位相シフト変調により電力方向を精密制御し、広範な電圧比においてゼロ電圧スイッチング（ZVS）と1000V耐圧絶縁を両立。
ゼロ電圧スイッチング（ZVS）領域のリアルタイム最適化
適応型デューティ比と位相角演算により、800Vから400Vへのクロス給電時でもSiC MOSFETを完全なゼロ電圧でソフトスイッチングさせます。
- Bi-directional power transfer rated up to 150 kW DC.
- Galvanic isolation exceeding 5 kV DC breakdown voltage.
- Automatic voltage normalization between 400V and 800V architectures.
- Efficiency exceeds 98.2% across 20% to 100% load range.
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