Topologia Dual-Active-Bridge (DAB) ad Isolamento Galvanico
Modulazione a triplo sfasamento per controllare il flusso di potenza, commutazione ZVS su ampi rapporti di tensione e isolamento a 1000V.
Ottimizzazione della Commutazione a Tensione Zero (ZVS)
Il calcolo adattivo del duty cycle e dell'angolo di fase assicura la commutazione a tensione zero dei MOSFET SiC anche tra 800V e 400V.
- Bi-directional power transfer rated up to 150 kW DC.
- Galvanic isolation exceeding 5 kV DC breakdown voltage.
- Automatic voltage normalization between 400V and 800V architectures.
- Efficiency exceeds 98.2% across 20% to 100% load range.
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