Topologie Dual-Active-Bridge (DAB) à Isolation Galvanique
Modulation par triple déphasage contrôlant le flux de puissance, commutation au zéro de tension (ZVS) et isolation châssis de 1000V.
Optimisation de la Commutation au Zéro de Tension (ZVS)
Le calcul adaptatif du rapport cyclique et du déphasage garantit que les MOSFET SiC commutent à tension nulle même lors d'échanges 800V-400V.
- Bi-directional power transfer rated up to 150 kW DC.
- Galvanic isolation exceeding 5 kV DC breakdown voltage.
- Automatic voltage normalization between 400V and 800V architectures.
- Efficiency exceeds 98.2% across 20% to 100% load range.
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