Topología Dual-Active-Bridge (DAB) con Aislamiento Galvánico
Modulación por triple desplazamiento de fase que controla la dirección de potencia, conmutación ZVS y aislamiento de chasis de 1000V.
Optimización de Conmutación a Voltaje Cero (ZVS)
El cálculo adaptativo de ciclo y fase garantiza que los MOSFETs SiC conmuten en tensión cero incluso en recargas cruzadas de 800V a 400V.
- Bi-directional power transfer rated up to 150 kW DC.
- Galvanic isolation exceeding 5 kV DC breakdown voltage.
- Automatic voltage normalization between 400V and 800V architectures.
- Efficiency exceeds 98.2% across 20% to 100% load range.
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