Galvanisch isolierte Dual-Active-Bridge (DAB)-Topologie
Triple-Phase-Shift-Modulation steuert die Leistungsflussrichtung, ZVS über weite Spannungsbereiche und 1000V-Chassis-Isolation.
Zero-Voltage-Switching (ZVS)-Optimierung
Adaptive Tastgrad- und Phasenwinkelberechnung stellt sicher, dass SiC-MOSFETs selbst bei 800V-zu-400V-Kreuzladung im spannungslosen Zustand schalten.
- Bi-directional power transfer rated up to 150 kW DC.
- Galvanic isolation exceeding 5 kV DC breakdown voltage.
- Automatic voltage normalization between 400V and 800V architectures.
- Efficiency exceeds 98.2% across 20% to 100% load range.
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